机译:具有超高室温2DEG迁移率的AlGaN / GaN-on-Si HEMT结构的晶圆级MOCVD生长
机译:室温2deg移动性高于2350厘米(2)/ v中心点S in AlGaN / GaN Hemt在GaN衬底上生长
机译:使用邻位(0001)蓝宝石增强MOVPE生长的AlGaN / AlN / GaN HEMT结构中2DEG的迁移率
机译:单晶片旋转盘MOCVD反应器中的高通量和高效增长的工艺条件优化和AlGaN / GaN HEMT结构的高效增长
机译:GaN-On-Si异质结构损失和2deg作为导体的微波表征
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:高度均匀的AlGaN / GaN / HEMT结构的改进的热壁MOCVD生长